Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 57 A 278 W, 10-Pin PG-HDSOP-10-1
- RS Best.-Nr.:
- 273-2788
- Herst. Teile-Nr.:
- IPDD60R050G7XTMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPDD60R050G7XTMA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 57A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-HDSOP-10-1 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 10 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 50mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 68nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 57A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-HDSOP-10-1 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 10 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 50mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 68nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Infineon ist einfach zu handhaben und erfüllt höchste Qualitätsstandards. Es besteht die Möglichkeit, durch den Einsatz von PFC- und PWM-Topologien in der Anwendung Skaleneffekte zu erzielen. Die Verringerung der parasitären Quellinduktivität durch die Kelvin-Quelle verbessert den Wirkungsgrad durch schnelleres Schalten und einfachere Handhabung durch weniger Überschwingen.
Völlig bleifrei
RoHS-konform
Einfache Sichtprüfung der Leitungen
Verbesserung der thermischen Leistung
Geeignet für harte und weiche Schaltvorgänge
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