Vishay SI9634DY Zweifach N-Kanal 4, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 8 A, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 268-8282
- Herst. Teile-Nr.:
- SI9634DY-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
€ 1.305,00
(ohne MwSt.)
€ 1.566,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 6 000 Einheit(en) mit Versand ab 14. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | € 0,435 | € 1.305,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 268-8282
- Herst. Teile-Nr.:
- SI9634DY-T1-GE3
- Hersteller:
- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Zweifach N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | SI9634DY | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 60V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 4 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Zweifach N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie SI9634DY | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 60V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101, 100 percent Rg and UIS tested | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 4 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der TrenchFET-Leistungs-MOSFET der 4. Generation mit zwei N-Kanälen von Vishay ist vollständig bleifreies und halogenfreies Gerät. Es ist optimiert und das Verhältnis verringert den schaltungsbedingten Leistungsverlust und wird in Anwendungen wie Synchrongleichrichtung, Motorantriebskontrast eingesetzt.
ROHS-konform
UIS-geprüft zu 100 Prozent
Verwandte Links
- Vishay SI9634DY Zweifach N-Kanal 4 8-Pin SO-8
- Vishay SIS9634LDN Zweifach N-Kanal 4 8-Pin PowerPAK 1212-8
- Vishay SIS9122 Zweifach N-Kanal 8-Pin PowerPAK
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ N Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 8 A 3.2 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 8 A 3.2 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ N-Kanal 2 8-Pin SOIC
- Vishay Isoliert TrenchFET Typ P Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 5.3 A 3.4 W, 8-Pin SOIC
- Vishay Doppelt TrenchFET Gen IV Typ N-Kanal 2 8-Pin PowerPAIR 3 x 3 FDC