Vishay SI9945CDY Dual-N-Kanal, SMD MOSFET Erweiterung 60 V / 7.9 A 3.6 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
736-345
Herst. Teile-Nr.:
SI9945CDY-T1-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Dual-N-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

7.9A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

SI9945CDY

Gehäusegröße

SO-8

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.032Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

3.6W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.3nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
IL
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay wurde für ein effizientes Energiemanagement entwickelt. Es eignet sich ideal für verschiedene Anwendungen, darunter Lastschalter und LCD-TV-Wechselrichterschaltkreise.

Die TrenchFET-Technologie sorgt für reduzierte Schaltverluste

Optimierte Qg-, Qgd- und Qgs-Verhältnisse verbessern die Leistung

100 % auf Rg und UIS getestet, gewährleistet Zuverlässigkeit

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