ROHM BSS670 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 650 A 350 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 267-2292
- Herst. Teile-Nr.:
- BSS670T116
- Hersteller:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- BSS670T116
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- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 650A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | BSS670 | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.68Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 350W | |
| Durchlassspannung Vf | 60V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 650A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie BSS670 | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.68Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 350W | ||
Durchlassspannung Vf 60V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM BSS670 ist ein Single-Nch-MOSFET mit 60 V und 650 mA, der mit einer ESD-Schutzdiode im SST3-Gehäuse ausgestattet ist. Dieses Produkt ist ideal für Schaltkreise und Low-Side-Lastschalter, Relaistreiberanwendungen.
Sehr schnelles Schalten
Antrieb mit extrem niedriger Spannung
ESD-Schutz bis zu 2 kV
Halogenfrei
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