onsemi 2N7002KW Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23

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RS Best.-Nr.:
166-2856
Herst. Teile-Nr.:
2N7002KW
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

300mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

2N7002KW

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.8Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

350mW

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.55nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.3 mm

Länge

2.92mm

Normen/Zulassungen

No

Höhe

1.2mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

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