onsemi BSS138K Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 50 V / 220 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

€ 138,00

(ohne MwSt.)

€ 165,00

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 9 000 Einheit(en) mit Versand ab 12. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 - 6000€ 0,046€ 138,00
9000 - 21000€ 0,039€ 117,00
24000 - 42000€ 0,038€ 114,00
45000 - 96000€ 0,033€ 99,00
99000 +€ 0,031€ 93,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
166-1879
Herst. Teile-Nr.:
BSS138K
Hersteller:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

220mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

SOT-23

Serie

BSS138K

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

350mW

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2.4nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.93mm

Breite

1.3 mm

Länge

2.92mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor


Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.

MOSFET-Transistoren, ON Semi


On Semi bietet ein umfangreiches Portfolio an MOSFET-Geräten, die Hochspannungs- (> 250 V) und Niederspannungstypen (< 250 V) umfassen. Die fortschrittliche Siliziumtechnologie bietet kleinere Matrizengrößen, in denen sie in diverse Industriestandard- und thermisch erweiterte Gehäuse integriert ist.

On Semi MOSFETs bieten eine überlegene Designzuverlässigkeit von reduzierten Spannungsspitzen und Überschwingen, einer niedrigeren Sperrschichtkapazität und einer umgekehrten Wiederherstellungsladung bis hin zur Beseitigung zusätzlicher externer Komponenten, um Systeme länger im Betrieb zu halten.

Verwandte Links