ROHM RX3R10BBH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 105 A 181 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 266-3876
- Herst. Teile-Nr.:
- RX3R10BBHC16
- Hersteller:
- ROHM
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
€ 7,87
(ohne MwSt.)
€ 9,44
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 999 Einheit(en) mit Versand ab 15. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 49 | € 7,87 |
| 50 - 99 | € 7,12 |
| 100 - 249 | € 5,88 |
| 250 - 499 | € 5,77 |
| 500 + | € 5,12 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 266-3876
- Herst. Teile-Nr.:
- RX3R10BBHC16
- Hersteller:
- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 105A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | RX3R10BBH | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 181W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 130nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 105A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie RX3R10BBH | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 181W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 130nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM mit niedrigem Einschaltwiderstand und kleinem Hochleistungs-Formgehäuse, geeignet für das Schalten.
Bleifreie Beschichtung
RoHS-konform
Halogenfrei
Verwandte Links
- ROHM RX3R10BBH Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- ROHM RJ1 Typ N-Kanal 1 MOSFET 150 V Erweiterung / 105 A 181 W, 3-Pin TO-263AB
- ROHM RX3R05BBH Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- onsemi PowerTrench Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220