ROHM R6013VND3 NaN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 131 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
265-5414
Herst. Teile-Nr.:
R6013VND3TL1
Hersteller:
ROHM
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Marke

ROHM

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

R6013VND3 NaN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.3Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Maximale Verlustleistung Pd

131W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS NaN

Automobilstandard

Nein

ROHMs Leistungs-MOSFET mit niedrigem Durchlasswiderstand und hohem Leistungsgehäuse eignet sich für Schaltkreise, Einzelzellenbatterieanwendungen und mobile Anwendungen.

Schnelle Umkehrerholungszeit (trr)

Niedriger Einschaltwiderstand

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Einfache Antriebsschaltungen

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