Infineon IGT65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 38 A 131 W, 8-Pin PG-HSOF-8

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RS Best.-Nr.:
351-968
Herst. Teile-Nr.:
IGT65R045D2ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

38A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

IGT65

Gehäusegröße

PG-HSOF-8

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.054Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

131W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6nC

Gate-Source-spannung max Vgs

10 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der CoolGaN von Infineon ist ein hocheffizienter Galliumnitrid (GaN)-Transistor für die Leistungsumwandlung. Er ermöglicht eine höhere Leistungsdichte, unterstützt die Reduzierung der Systemkosten und erleichtert die Miniaturisierung der Formfaktoren. Er wird mit Hilfe der Wafer-Technologie und vollautomatischer Produktionslinien hergestellt und zeichnet sich durch enge Fertigungstoleranzen und höchste Produktqualität aus. Dadurch eignet er sich für ein breites Spektrum von Anwendungen, von der Unterhaltungselektronik bis hin zu industriellen Anwendungen.

Transistor im Anreicherungsmodus

Ultraschnelles Schalten

Keine Reverse-Recovery-Ladung

Fähigkeit zur Rückleitung

Niedrige Gate- und Ausgangsladung

Überlegene Robustheit der Kommutierung

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