Infineon IGT65 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 38 A 131 W, 8-Pin PG-HSOF-8
- RS Best.-Nr.:
- 351-968
- Herst. Teile-Nr.:
- IGT65R045D2ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- IGT65R045D2ATMA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 38A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | IGT65 | |
| Gehäusegröße | PG-HSOF-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.054Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 131W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 10V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 38A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie IGT65 | ||
Gehäusegröße PG-HSOF-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.054Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 131W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 10V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der CoolGaN von Infineon ist ein hocheffizienter Galliumnitrid (GaN)-Transistor für die Leistungsumwandlung. Er ermöglicht eine höhere Leistungsdichte, unterstützt die Reduzierung der Systemkosten und erleichtert die Miniaturisierung der Formfaktoren. Er wird mit Hilfe der Wafer-Technologie und vollautomatischer Produktionslinien hergestellt und zeichnet sich durch enge Fertigungstoleranzen und höchste Produktqualität aus. Dadurch eignet er sich für ein breites Spektrum von Anwendungen, von der Unterhaltungselektronik bis hin zu industriellen Anwendungen.
Transistor im Anreicherungsmodus
Ultraschnelles Schalten
Keine Reverse-Recovery-Ladung
Fähigkeit zur Rückleitung
Niedrige Gate- und Ausgangsladung
Überlegene Robustheit der Kommutierung
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