Microchip TN2524 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 240 V / 360 A 1.6 W, 3-Pin SOT-89
- RS Best.-Nr.:
- 264-8918
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2524N8-G
- Hersteller:
- Microchip
Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*
€ 1.738,00
(ohne MwSt.)
€ 2.086,00
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 04. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2000 + | € 0,869 | € 1.738,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 264-8918
- Herst. Teile-Nr.:
- TN2524N8-G
- Hersteller:
- Microchip
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 360A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 240V | |
| Gehäusegröße | SOT-89 | |
| Serie | TN2524 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.6W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.6mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Länge | 4.6mm | |
| Breite | 2.6 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 360A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 240V | ||
Gehäusegröße SOT-89 | ||
Serie TN2524 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.6W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.6mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Länge 4.6mm | ||
Breite 2.6 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET von Microchip mit niedrigem Schwellenwert-Verbesserungsmodus (normalerweise ausgeschaltet) nutzt eine vertikale DMOS-Struktur und ein bewährtes Fertigungsverfahren mit Siliziumgatter. Durch diese Kombination wird ein Gerät mit der Strombelastbarkeitsfähigkeiten von bipolaren Transistoren mit der hohen Eingangsimpedanz und dem positiven Temperaturkoeffizienten von MOS-Geräten erzielt. Charakteristisch für alle MOS-Strukturen ist, dass dieses Bauelement frei von unkontrollierbaren thermischen Situationen und thermisch induzierten Sekundärdurchbrüchen ist. Die vertikalen DMOS-FETs eignen sich ideal für eine Vielzahl von Schalt- und Verstärkeranwendungen, bei denen sehr niedrige Schwellenspannung, hohe Durchbruchspannung, hohe Eingangsimpedanz, niedrige Eingangskapazität und schnelle Schaltgeschwindigkeiten erwünscht sind.
Niedriger Schwellenwert (max. 2,0 V)
Hohe Eingangsimpedanz
Niedrige Eingangskapazität (max. 125 pF)
Schnelle Schaltgeschwindigkeiten
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Frei von sekundären Störungen
Niedrige Eingangs- und Ausgangslecks
Verwandte Links
- Microchip TN2524 Typ N-Kanal 3-Pin SOT-89
- Microchip DN3525 Typ N-Kanal 3-Pin SOT-89
- Microchip VN3205 Typ N-Kanal 3-Pin SOT-89
- Microchip VN2460 Typ N-Kanal 3-Pin SOT-89
- Microchip TN2510 Typ N-Kanal 3-Pin SOT-89
- Infineon SIPMOS Typ N-Kanal 3-Pin SOT-89
- Microchip TP2510 Typ P-Kanal 3-Pin SOT-89
- Microchip VP2450 Typ P-Kanal 3-Pin SOT-89