Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.2 A 1.7 W, 6-Pin Micro6
- RS Best.-Nr.:
- 262-6786
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-41-683
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLMS1503TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
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- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-41-683
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLMS1503TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | Micro6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 200mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.4nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.7W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße Micro6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.4nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.7W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFETs von Infineon nutzen fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das der Stromversorgungs-MOSFET bekannt ist, bietet er dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.
Extrem niedrige Rds
N-Kanal