Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 55 V / 29 A, 3-Pin TO-263

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 6,73

(ohne MwSt.)

€ 8,08

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 1 050 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90€ 0,673€ 6,73
100 - 240€ 0,641€ 6,41
250 - 490€ 0,626€ 6,26
500 - 990€ 0,586€ 5,86
1000 +€ 0,545€ 5,45

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-6784
Distrelec-Artikelnummer:
304-41-681
Herst. Teile-Nr.:
IRFZ34NSTRLPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

29A

Drain-Source-Spannung Vds max.

55V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.075Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Dieses Design verfügt über Merkmale wie eine Betriebstemperatur von 175 °C und eine schnelle Schaltgeschwindigkeit.

Vollständig lawinenbeständig

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.