Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 30 V / 2.4 A 1.25 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 262-6740
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-41-669
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7503TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | € 0,473 | € 11,83 |
| 125 - 225 | € 0,45 | € 11,25 |
| 250 - 600 | € 0,43 | € 10,75 |
| 625 - 1225 | € 0,284 | € 7,10 |
| 1250 + | € 0,237 | € 5,93 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 262-6740
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-41-669
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7503TRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 222mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.25W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 7.8nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 222mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.25W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 7.8nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET von Infineon nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Sie hat die kleinste Abmessung, was sie ideal für Anwendungen macht, bei denen der Platz auf der Leiterplatte besonders wichtig ist.
Extrem niedriger Widerstand
Erhältlich als Band und Rolle
Sehr kleines SOIC-Gehäuse
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