Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 13 A, 8-Pin SO-8

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme 125 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*

€ 52,875

(ohne MwSt.)

€ 63,50

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 3 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Stück
Pro Stück
125 - 225€ 0,423
250 - 600€ 0,379
625 - 1225€ 0,267
1250 +€ 0,201

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
262-6731P
Herst. Teile-Nr.:
IRF7413ZTRPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

13A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Leistungs-MOSFET von Infineon bietet Vorteile wie eine extrem niedrige Gate-Impedanz für vollständig charakterisierte Lawinen-Spannung und -Strom.

Sehr niedriger RDS(on)

100 % auf RG geprüft