onsemi NXH020U90MNF2PTG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 900 V / 149 A 352 W, 20-Pin F2-VIENNA: Fall 180BZ
- RS Best.-Nr.:
- 261-9558
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH020U90MNF2PTG
- Hersteller:
- onsemi
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Schale mit 20 Stück)*
€ 3.403,28
(ohne MwSt.)
€ 4.083,94
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 20 Einheit(en) mit Versand ab 24. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Schale* |
|---|---|---|
| 20 - 20 | € 170,164 | € 3.403,28 |
| 40 - 40 | € 165,801 | € 3.316,02 |
| 60 + | € 161,659 | € 3.233,18 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 261-9558
- Herst. Teile-Nr.:
- NXH020U90MNF2PTG
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 149A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 900V | |
| Serie | NXH020U90MNF2PTG | |
| Gehäusegröße | F2-VIENNA: Fall 180BZ | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 20 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 14mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 6V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 546.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 352W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | Halide Free, Pb-Free, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 149A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 900V | ||
Serie NXH020U90MNF2PTG | ||
Gehäusegröße F2-VIENNA: Fall 180BZ | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 20 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 14mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 6V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 546.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 352W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen Halide Free, Pb-Free, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die MOSFETs von ON Semiconductor sind ein Leistungsmodul, das ein Wiener Gleichrichtermodul enthält, bestehend aus zwei 10-Milliohm-Schaltern mit M2-Technologie und mit einem 15-V- bis 18-V-Gate-Antrieb.
Ladestationen für Elektrofahrzeuge
Unterbrechungsfreie Netzteile