ROHM RD3G03BBG Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 65 A 50 W TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 261-9330
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3G03BBGTL1
- Hersteller:
- ROHM
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- RD3G03BBGTL1
- Hersteller:
- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 65A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | RD3G03BBG | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.5mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 18.2nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 65A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie RD3G03BBG | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.5mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 18.2nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM RD3G03BBG ist ein Leistungs-MOSFET mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Hochleistungsgehäuse, geeignet für Schaltungen. Die Lagertemperatur reicht von -55 °C bis +150 °C.
Die Anzahl der Anschlussklemmen beträgt 3
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei
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