Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 120 A 98 W TO-252

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RS Best.-Nr.:
257-5883
Herst. Teile-Nr.:
IRFR7446TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

120A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.9mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

65nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

98W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Infineons MOSFET verbessert die Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit und wird für OR-ing und redundante Leistungsschalter sowie DC/DC- und AC/DC-Wandler und DC/AC-Wechselrichter verwendet.

Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-SOA

Verbesserte Körperdiode dv/dt- und dI/dt-Fähigkeit

Bleifrei

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