STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 30 A, 7-Pin Band und Rolle

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RS Best.-Nr.:
261-5041
Herst. Teile-Nr.:
SCT055HU65G3AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

Band und Rolle

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

29nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

18.58mm

Höhe

3.5mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

14 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MA

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET in Kfz-Qualität, 650 V, typisch 58 mOhm, 30 A in einem HU3PAK-Gehäuse


Das Leistungs-MOSFET-Gerät aus Siliziumkarbid von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 3. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen sehr niedrigen RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich in Kombination mit niedrigen Kapazitäten und sehr hohen Schaltvorgängen, die die Anwendungsleistung in Bezug auf Frequenz, Energieeffizienz, Systemgröße und Gewichtsreduzierung verbessern.

AEC-Q101-qualifiziert

Sehr niedriger RDS(on) über den gesamten Temperaturbereich

Hochgeschwindigkeits-Schaltleistung

Sehr schnelle und robuste Diode mit eigenem Gehäuse

Quellen-Sensorstift für erhöhte Effizienz

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