Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 9.9 A TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 5,92

(ohne MwSt.)

€ 7,105

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1 840 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 1,184€ 5,92
50 - 120€ 1,06€ 5,30
125 - 245€ 0,988€ 4,94
250 - 495€ 0,94€ 4,70
500 +€ 0,916€ 4,58

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-5142
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R650CEAUMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.9A

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon CoolMOS CE ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt wurde und Pionier entwickelt wurde.

Sehr hohe Schaltflexibilität

Einfach zu bedienen oder zu fahren

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäß der Datenschutzerklärung verarbeitet.