Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 200 V / 34 A TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 260-5132
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD320N20N3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 260-5132
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD320N20N3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 34A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 32mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 34A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 32mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-OptiMOS-MOSFET-Transistor von Infineon bietet eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er ist ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung.
N-Kanal, normaler Pegel
Ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung
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