Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 3.7 A TO-252

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

€ 4,25

(ohne MwSt.)

€ 5,10

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 2 210 Einheit(en) mit Versand ab 25. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 - 90€ 0,425€ 4,25
100 - 240€ 0,403€ 4,03
250 - 490€ 0,395€ 3,95
500 - 990€ 0,276€ 2,76
1000 +€ 0,216€ 2,16

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-5138
Herst. Teile-Nr.:
IPD60R2K1CEAUMA1
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.7A

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Infineon CoolMOS CE ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip (SJ) entwickelt wurde und Pionier entwickelt wurde.

Sehr hohe Schaltflexibilität

Einfach zu bedienen oder zu fahren

Verwandte Links