Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N / 75 A TO-252

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
260-5127
Herst. Teile-Nr.:
IPD110N12N3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

75A

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-OptiMOS-MOSFET-Transistor von Infineon bietet eine ausgezeichnete Gate-Ladung. Er ist ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung.

N-Kanal, normaler Pegel

Ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung

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