Infineon BSC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 100 A 156 W, 8-Pin TDSON

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RS Best.-Nr.:
259-1470
Herst. Teile-Nr.:
BSC036NE7NS3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

100A

Drain-Source-Spannung Vds max.

75V

Serie

BSC

Gehäusegröße

TDSON

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.6Ω

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

156W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

63.4nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

6.35mm

Breite

1.1 mm

Höhe

5.35mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die 75-V-Optimos-Technologie von Infineon ist auf synchrone Gleichrichteranwendungen spezialisiert. Basierend auf der führenden 80-V-Technologie bieten diese 75-V-Produkte gleichzeitig die niedrigsten Widerstände im eingeschalteten Zustand und eine überlegene Schaltleistung.

Optimierte Technologie für synchrone Gleichrichtung

Beste Schaltleistung

Weltweit niedrigste R DS(on)

Sehr geringe Q g und Q gd

Ausgezeichnete Gate-Ladung x R DS(on)-Produkt (FOM)

RoHS-konform, halogenfrei

MSL3-Zulassung

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