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Infineon IRF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8

Name: Infineon IRF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
Brand: Infineon
SKU: 258-8199
Availability: InStock

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	10A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	SO-8
	Serie	IRF
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.035Ω
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Verlustleistung Pd	2.5W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	61nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	4mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	1.75mm
	Länge	5mm

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 10A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße SO-8
	Serie IRF
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.035Ω
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Verlustleistung Pd 2.5W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 4mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 1.75mm
	Länge 5mm

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