Vishay IRF Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 1.8 A 2 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
542-9462
Herst. Teile-Nr.:
IRF9610PBF
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IRF

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11nC

Durchlassspannung Vf

-5.8V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4.7 mm

Höhe

9.01mm

Länge

10.41mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Vishay Leistungs-MOSFETs-Technologie ist der Schlüssel für Advanced Line von Leistungs-MOSFET-Transistoren. Die effiziente Geometrie und die einzigartige Verarbeitung der Leistungs-MOSFETs erreichen einen sehr niedrigen Betriebswiderstand in Kombination mit hoher Transkonduktivität und extremer Robustheit des Geräts. Das TO-220AB-Gehäuse wird universell für alle kommerziellen und industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 W bevorzugt

Dynamische dV-/dt-Bewertung

Einfacher Parallelbetrieb

Einfache Laufwerkanforderungen

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