Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 50 A TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-7772
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD060N03LGATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-7772
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD060N03LGATMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der OptiMOS 3-Leistungs-MOSFET von Infineon hat eine extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in kleinen Gehäusen, womit er die beste Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Daten- und Telekommunikationsanwendungen ist.
Erhöhte Batterielebensdauer
Geringer Leistungsverlust
Einfach in der Planung
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