Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 50 A TO-263

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-7772
Herst. Teile-Nr.:
IPD060N03LGATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

50A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS 3-Leistungs-MOSFET von Infineon hat eine extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in kleinen Gehäusen, womit er die beste Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Daten- und Telekommunikationsanwendungen ist.

Erhöhte Batterielebensdauer

Geringer Leistungsverlust

Einfach in der Planung

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