Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 30 A TDSON

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-7783
Herst. Teile-Nr.:
IPD30N03S2L20ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

30A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TDSON

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Channel-Modus

N

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der OptiMOS-Leistungstransistor von Infineon bietet niedrige Schalt- und Leitungsverluste für einen hohen thermischen Wirkungsgrad. Er verfügt über eine optimierte Gate-Gesamtladung, die eine kleinere Treiber-Ausgangsstufe ermöglicht. Er verfügt außerdem über robuste Gehäuse von überlegener Qualität und Zuverlässigkeit.

Kfz-Zulassung AEC Q101

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenreflow

Betriebstemperatur: 175 °C

Grünes Gehäuse

100 % Avalanche-getestet

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