Infineon HEXFET, Oberfläche MOSFET 25 V / 220 A 96 W WDSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-3965P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6717MTRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme 20 Stück (auf Gurtabschnitt geliefert)*
€ 60,40
(ohne MwSt.)
€ 72,40
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 4 730 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 20 - 48 | € 3,02 |
| 50 - 98 | € 2,84 |
| 100 - 198 | € 2,62 |
| 200 + | € 2,44 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-3965P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF6717MTRPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 220A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 25V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | WDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.1mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 46nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 220A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 25V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße WDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.1mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 46nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon StrongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Hoher Nennstrom
Zweiseitige Kühlung
Kompakter Formfaktor
Hoher Wirkungsgrad