Infineon IPW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 30 A 219 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-3909
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R125P6XKSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | IPW | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 219W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 56nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie IPW | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 219W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 56nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Super-Junction-MOSFET-Familie CoolMOS P6 von Infineon wurde entwickelt, um eine höhere Systemeffizienz zu ermöglichen und gleichzeitig einfach einzurichten. CoolMOS P6 schließt die Lücke zwischen Technologien, die sich auf die ultimative Leistung konzentrieren, und denen, die sich stärker auf die Benutzerfreundlichkeit konzentrieren.
Besserer Wirkungsgrad bei Sanftkopplungsanwendungen aufgrund früherer Abschaltung
Geeignet für harte und weiche Schalttopologien
Optimierte Balance zwischen Effizienz und Benutzerfreundlichkeit sowie gute Steuerbarkeit des Schaltverhaltens