Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET 650 V / 24 A 128 W, 3-Pin TO-220

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RS Best.-Nr.:
258-3899
Herst. Teile-Nr.:
IPP65R095C7XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

24A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Gehäusegröße

TO-220

Serie

IPP

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

95mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

45nC

Maximale Verlustleistung Pd

128W

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super-Junction-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie CoolMOS C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Zulieferers mit hochwertiger Innovation. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von Offset-Schalt-Super-Junction-MOSFETs, die einen besseren Wirkungsgrad, geringere Gate-Ladung, einfache Implementierung und hervorragende Zuverlässigkeit bieten.

Niedrigere Gate-Ladung Qg

Platzersparnis durch den Einsatz kleinerer Gehäuse oder Reduzierung der Teile

Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse

Geringe Schaltverluste

Besserer Wirkungsgrad bei leichter Last

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