Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 193 A 188 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 260-1058
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP015N04NF2SAKMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 260-1058
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP015N04NF2SAKMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 193A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IPP | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 0.86V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 106nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 188W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.75mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Länge | 15.8mm | |
| Breite | 10.67 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 193A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IPP | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 0.86V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 106nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 188W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.75mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Länge 15.8mm | ||
Breite 10.67 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET bietet eine breite Palette von Anwendungen von niedriger bis hoher Schaltfrequenz mit einer breiten Verfügbarkeit von Vertriebspartnern bis hin zu einem ausgezeichneten Preis-Leistungs-Verhältnis.
Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenz
Durchgangsbohrungsgehäuse nach Industriestandard
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