Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 600 V / 20 A 120 W, 10-Pin HDSOP

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RS Best.-Nr.:
258-3875
Herst. Teile-Nr.:
IPDD60R125G7XTMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Serie

IPD

Gehäusegröße

HDSOP

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

10

Drain-Source-Widerstand Rds max.

125mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

27nC

Maximale Verlustleistung Pd

120W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Das Infineon Double DPAK, das erste oben gekühlte SMD-Gerätepaket für Hochleistungs-SMPS-Anwendungen wie PC-Stromversorgung, Solarenergie, Server und Telekommunikation. Die Vorteile der bereits vorhandenen Hochspannungstechnologie 600 V CoolMOS G7 Super Junction MOSFETs sind kombiniert mit dem innovativen Konzept der Oberseite-Kühlung und bieten eine Systemlösung für Hochstrom-Hard Switching-Topologien wie PFC und eine High-End-Effizienzlösung für LLC-Topologien.

Innovatives Top-Side-Kühlkonzept

Integrierte 4-polige Kelvin-Quellenkonfiguration und niedrige Induktivität von parasitären Quellen

Ermöglicht Lösungen mit höherer Leistungsdichte

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