Infineon CoolMOS™ G7 IPDD60R150G7XTMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 650 V / 45 A, 10-Pin DDPAK

Die Infineon Technologies stellt das erste SMD-Gehäuse (Double DPAK) mit Kühlung auf der Oberseite vor, das sich für Hochleistungs-SMPS-Anwendungen wie PC-Stromversorgung, Solar, Server und Telekommunikation eignet. Die Vorteile der bereits vorhandenen 600-V-Cool-MOS-G7-Super Junction (SJ)-MOSFETs mit dem innovativen Konzept der Kühlung auf der Oberseite bieten eine Systemlösung für Starkstrom-Schalt-Topologien wie PFC und eine High-End-Effizienzlösung für LLC-Topologien.

Bietet erstklassige FOM RDS(on) x Eoss und RDS(on) x Qg
Innovatives Kühlkonzept auf der Oberseite
Integrierte 4. Stift Kelvin-Quellkonfiguration und niedrige parasitäre Quelle Induktivität
TCOB-Fähigkeit von >> 2.000 Zyklen, MSL1-konform und vollständig bleifrei
Ermöglicht höchste Energieeffizienz
Thermische Entkopplung von Platine und Halbleiter ermöglicht die Überwindung thermischer Leiterplatten-Grenzwerte
Die reduzierte parasitäre Quellinduktivität verbessert den E-Wirkungsgrad und die Benutzerfreundlichkeit
Ermöglicht Lösungen mit höherer Leistungsdichte
Übertrifft die höchsten Qualitätsstandards