Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -40 V / -90 A 125 W, 3-Pin TO-252

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 4,56

(ohne MwSt.)

€ 5,48

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 9 374 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18€ 2,28€ 4,56
20 - 48€ 1,98€ 3,96
50 - 98€ 1,87€ 3,74
100 - 198€ 1,735€ 3,47
200 +€ 1,595€ 3,19

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3871
Herst. Teile-Nr.:
IPD90P04P4L04ATMA2
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-90A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-40V

Serie

IPD

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.2mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

-1V

Gate-Source-spannung max Vgs

5 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

135nC

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

DIN IEC 68-1, RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Leistungstransistor OptiMOS-P2 von Infineon bietet die niedrigsten Schalt- und Leitungsstromverluste für höchsten thermischen Wirkungsgrad und robuste Gehäuse mit überlegener Qualität und Zuverlässigkeit.

P-Kanal – Logikpegel – Verstärkungsmodus

AEC-qualifiziert

Einfache Schnittstellen-Antriebsstromkreis

Weltweit niedrigster RDSon bei 40 V

Höchste Strombelastbarkeit

Verwandte Links