Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 500 V / 4.3 A 53 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3847
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50R950CEAUMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IPD50R950CEAUMA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 950mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 830mV | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10.5nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 53W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 950mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 830mV | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10.5nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 53W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon 500 V CoolMOS CE ist eine preis- und leistungsoptimierte Plattform, die es ermöglicht, kostenempfindliche Anwendungen in Verbraucher- und Beleuchtungsmärkten anzusprechen und gleichzeitig die höchsten Effizienzstandards zu erfüllen. Die neue Serie bietet alle Vorteile eines schnell schaltenden Super-Junction-MOSFETs, ohne die Benutzerfreundlichkeit zu beeinträchtigen und bietet das beste Preis-Leistungs-Verhältnis auf dem Markt.
Hohe Gehäuse-Dioden-Robustheit
Reduzierte Umkehrwiederherstellungsladung
Einfache Steuerung des Schaltverhaltens
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