Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 60 V / 30 A TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-3837
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD220N06L3GATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 30A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 39.80mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | +175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 30A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 39.80mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur +175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 30 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD220N06L3GATMA1
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in anspruchsvollen thermischen Umgebungen entwickelt wurde. Er kombiniert eine moderate Nennspannung mit einer erheblichen Dauerstromfähigkeit und eignet sich daher für Anwendungen, die eine effiziente Leitfähigkeit und eine kompakte Montage erfordern. Das Gerät entspricht den RoHS-Normen und wird in einem TO‐252-Gehäuse für eine unkomplizierte Leiterplattenmontage angeboten.
Merkmale und Vorteile:
• 39,8 mΩ RDS(on) für reduzierte Leitungsverluste
• 1,2 V Durchlassspannung ermöglicht effiziente gate-gesteuerte Schaltvorgänge
• Betriebsbereich von -55 °C bis +175 °C für breite Temperaturbereiche
• 60 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht einen robusten Spannungsbereich
• 30 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung von Hochstromlasten
• 1,2 V Durchlassspannung ermöglicht effiziente gate-gesteuerte Schaltvorgänge
• Betriebsbereich von -55 °C bis +175 °C für breite Temperaturbereiche
• 60 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht einen robusten Spannungsbereich
• 30 A kontinuierlicher Ablassstrom zur Unterstützung von Hochstromlasten
Anwendungsbereich
• Geeignet für DC-Stromverteilungsmodule
• Ideal für Schaltstufen von Motorantrieben
• Wird mit Batteriemanagementkreisen verwendet, die eine Oberflächenmontage erfordern
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Wandlern verwendet werden
• Geeignet für das Schalten von Hochstromlasten auf kompakten Leiterplatten
• Ideal für Schaltstufen von Motorantrieben
• Wird mit Batteriemanagementkreisen verwendet, die eine Oberflächenmontage erfordern
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Wandlern verwendet werden
• Geeignet für das Schalten von Hochstromlasten auf kompakten Leiterplatten
Welche Gehäusetypen sind für die Leiterplattenmontage vorgesehen?
Das Gerät wird in einem oberflächenmontierbaren TO‐252-Gehäuse geliefert, das für Reflow-Prozesse geeignet ist.
Welche Kanalpolarität nutzt er für Steuerkreise?
Es verwendet eine N-Kanal-Konfiguration für Low-Side- oder High-Side-Schalttopologien, je nach Schaltkreisdesign.
Ist es für die Qualifizierung im Automobilbereich vorgesehen?
Es ist nicht als Kfz-Standardgerät ausgewiesen, erfüllt aber die RoHS-Umweltanforderungen.
Welche Montageart ist für diese Komponente geeignet?
Der Transistor ist für die Oberflächenmontage vorgesehen, um flache Leiterplatten-Layouts zu ermöglichen.
Wie hoch ist die angegebene maximale Betriebstemperatur?
Die Komponente ist für den Betrieb bei bis zu +175 °C ausgelegt.