Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 100 V / 67 A 125 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
258-3835
Herst. Teile-Nr.:
IPD12CN10NGATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

67A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

12.4mΩ

Channel-Modus

P

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

49nC

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die OptiMOS-Leistungs-MOSFETs von Infineon bieten überlegene Lösungen für hocheffiziente SMPS mit hoher Leistungsdichte. Im Vergleich zur nächsten besten Technologie erreicht diese Familie eine Reduzierung von 30 % sowohl bei R DS(on) als auch bei FOM

Ausgezeichnete Schaltleistung

Weltweit niedrigste R DS(on)

Umweltfreundlich

Erhöhte Effizienz

Höchste Leistungsdichte

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