Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 70 A TO-252

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-3831
Herst. Teile-Nr.:
IPD068P03L3GATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

70A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.6mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der Feldwirkungstransistor mit P-Kanal-Verbesserungsmodus von Infineon ist eine äußerst innovative OptiMOS-Familie mit P-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. Widerstand im eingeschalteten Zustand und Verdienstmerkmale.

Verstärkungsmodus

Logikpegel

Avalanche-geschützt

Schnelles Schalten

Dv/dt-Nennleistung

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