Teile-Nr.

Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A TO-263

RS Best.-Nr.:: 258-3821
Herst. Teile-Nr.:: IPB80P04P4L08ATMA2
Hersteller:: Infineon

Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A TO-263

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RS Best.-Nr.:: 258-3821
Herst. Teile-Nr.:: IPB80P04P4L08ATMA2
Hersteller:: Infineon

Technische Daten des gezeigten Artikels

Datenblätter und Anleitungen

Rechtliche Anforderungen

Informationen zur Produktgruppe

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	80A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	iPB
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	40.7mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie iPB
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 40.7mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPB80P04P4L08ATMA2

Der Leistungstransistor OptiMOS-P2 von Infineon bietet die niedrigsten Schalt- und Leitungsleistungseinbußen für höchsten thermischen Wirkungsgrad. Robuste Gehäuse mit überragender Qualität und Zuverlässigkeit.

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Weltweit niedrigster RDSon bei 40 V

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Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 80 A TO-263

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