Infineon iPB Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 62 A, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 235-4849
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB330P10NMATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- IPB330P10NMATMA1
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 62A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | iPB | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 62A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie iPB | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS TM P-Kanal-MOSFETs mit 100 V im D2PAK-Gehäuse stellen die neue Technologie für Batterie-, Lastschalter- und Verpolungsschutzanwendungen dar. Der Hauptvorteil eines P-Kanal-Geräts ist die Reduzierung der Designkomplexität in Anwendungen mit mittlerer und niedriger Leistungsaufnahme. Seine einfache Schnittstelle zur MCU, das schnelle Schalten sowie die Lawinenbeständigkeit machen ihn für hochwertige anspruchsvolle Anwendungen geeignet. Er ist in normaler Ausführung mit einem großen RDS(on)-Bereich erhältlich und verbessert den Wirkungsgrad bei niedrigen Lasten aufgrund niedriger Qg. Sie wird in Batterie- und Industrieautomatisierung eingesetzt.
Ideal für hohe und niedrige Schaltfrequenz
Widerstandsfähigkeit gegen Stoßentladungen
SMD-Gehäuse mit Industriestandard-Abmessungen
Robuste, zuverlässige Leistung
Erhöhte Sicherheit der Versorgung