Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 166 A 214 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 258-3789
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB024N08N5ATMA1
- Hersteller:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 166A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | iPB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.4mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.92V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 99nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
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|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 166A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie iPB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.4mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Durchlassspannung Vf 0.92V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 99nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der 80-V-Industrie-Leistungs-MOSFET OptiMOS 5 von Infineon bietet eine Reduzierung des RDS(on) von 43 % im Vergleich zu früheren Generationen und ist ideal für hohe Schaltfrequenzen geeignet. Die Geräte dieser Familie wurden speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Server-Netzteilen entwickelt. Darüber hinaus können sie auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.
Optimiert für synchrone Gleichrichtung
Ideal für hohe Schaltfrequenz
Weniger Parallelführung erforderlich
Erhöhte Leistungsdichte
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