Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 166 A 214 W, 3-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
258-3788
Herst. Teile-Nr.:
IPB024N08N5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

166A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.4mΩ

Channel-Modus

N

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

99nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

214W

Durchlassspannung Vf

0.92V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der 80-V-Industrie-Leistungs-MOSFET OptiMOS 5 von Infineon bietet eine Reduzierung des RDS(on) von 43 % im Vergleich zu früheren Generationen und ist ideal für hohe Schaltfrequenzen geeignet. Die Geräte dieser Familie wurden speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Server-Netzteilen entwickelt. Darüber hinaus können sie auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Ideal für hohe Schaltfrequenz

Weniger Parallelführung erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

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