Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 80 V / 260 A 375 W, 7-Pin TO-263

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RS Best.-Nr.:
258-3784
Herst. Teile-Nr.:
IPB015N08N5ATMA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

260A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Serie

iPB

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5mΩ

Channel-Modus

P

Durchlassspannung Vf

0.86V

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

178nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

IEC 61249-2-21, RoHS

Automobilstandard

Nein

Der 80-V-Industrie-Leistungs-MOSFET OptiMOS 5 von Infineon bietet eine Reduzierung des RDS(on) von 43 % im Vergleich zu früheren Generationen und ist ideal für hohe Schaltfrequenzen geeignet. Die Geräte dieser Familie wurden speziell für die synchrone Gleichrichtung in Telekommunikations- und Server-Netzteilen entwickelt. Darüber hinaus können sie auch in anderen industriellen Anwendungen wie Solar-, Niederspannungsantrieben und Adaptern eingesetzt werden.

Reduzierte Schalt- und Leitungsverluste

Weniger Parallelen erforderlich

Erhöhte Leistungsdichte

Niederspannungsüberschreitung

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