Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 171 A TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 258-0631
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFP4568-E
- Hersteller:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
€ 11,35
(ohne MwSt.)
€ 13,62
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- Zusätzlich 388 Einheit(en) mit Versand ab 03. Juni 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 4 | € 11,35 |
| 5 - 9 | € 10,79 |
| 10 - 24 | € 10,33 |
| 25 - 49 | € 9,86 |
| 50 + | € 9,19 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-0631
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRFP4568-E
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 171A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 171A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon in Kfz-Qualität wurde speziell für Kfz-Anwendungen entwickelt und nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumbereich zu erreichen. Zusätzliche Merkmale dieses Designs sind eine Betriebstemperatur von 175 °C, eine schnelle Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Wiederholungs-Avalanche-Nennleistung. Diese Merkmale machen dieses Design zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Gerät für den Einsatz in Kfz-Anwendungen und einer Vielzahl anderer Anwendungen.
Erweiterte Planar-Technologie
Extrem niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Dynamische dv/dt-Nennleistung
Betriebstemperatur: 175 °C
Schnelles Schalten
Wiederholbare Avalanche Zulässig bis Tjmax
Verwandte Links
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 171 A TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-247AC
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET 150 V / 85 A 330 W TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 150 V / 35 A TO-220
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 150 V / 33 A 144 W TO-252
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal 3-Pin TO-263