Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 160 A 230 W TO-263

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 5,06

(ohne MwSt.)

€ 6,08

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 18€ 2,53€ 5,06
20 - 48€ 2,305€ 4,61
50 - 98€ 2,15€ 4,30
100 - 198€ 2,02€ 4,04
200 +€ 1,85€ 3,70

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
257-9424
Herst. Teile-Nr.:
IRFS3306TRLPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

160A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.2mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

85nC

Maximale Verlustleistung Pd

230W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die IRFS-Serie von Infineon ist das 60-V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.

Verbesserte Tor-, Lawinen- und dynamische dV/dt-Robustheit

Vollständig charakterisierte Kapazität und Lawinen-SOA

Verbesserte Gehäuse-Diode dV/dt und dI/dt-Fähigkeit bleifrei

RoHS-konform, halogenfrei

Verwandte Links

Recently viewed