Infineon HEXFET Typ N-Kanal MOSFET -30 V / -9.2 A 2 W, 8-Pin SO-8

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 6,61

(ohne MwSt.)

€ 7,93

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 700 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45€ 1,322€ 6,61
50 - 120€ 1,138€ 5,69
125 - 245€ 1,058€ 5,29
250 - 495€ 0,862€ 4,31
500 +€ 0,596€ 2,98

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
257-9331
Herst. Teile-Nr.:
IRF9358TRPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

-9.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

-30V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

HEXFET

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

23.8mΩ

Durchlassspannung Vf

-1.2V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Die IRF-Serie von Infineon ist das -30-V-Dual-P-Kanal-HEXFET-Leistungs-Mosfet in einem SO 8-Gehäuse.

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Optimiert für 4,5-V-Gate-Antriebsspannung (sog. Logikpegel)

Kann mit einer Gate-Antriebsspannung von 2,5 V betrieben werden (sog. Super-Logikpegel)

Geringere Konstruktionskomplexität bei Konfiguration mit hoher Seite

Einfachere Schnittstelle zum Mikrocontroller

Verwandte Links