Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 20 V / 3.4 A 9.6 W PQFN

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RS Best.-Nr.:
257-5826
Herst. Teile-Nr.:
IRLHS6276TRPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

3.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

PQFN

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

65mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Verlustleistung Pd

9.6W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

3.1nC

Gate-Source-spannung max Vgs

±12 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Breite

2 mm

Automobilstandard

Nein

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Optimiert für größtmögliche Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung nach JEDEC-Standard

Industriestandard für oberflächenmontierte Leistungsgehäuse

Niedriger RDS(on) in einem kleinen Gehäuse

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