Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 72 A 375 W TO-262

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RS Best.-Nr.:
257-5554
Herst. Teile-Nr.:
IRFS4127TRLPBF
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

72A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-262

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

18.6mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

100nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Verlustleistung Pd

375W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Infineons MOSFET verfügt über eine verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit sowie eine vollständig charakterisierte Kapazitäts- und Avalanche-SOA.

Verbesserte Body-Diode dV/dt und dI/dt Fähigkeit

Bleifrei

Hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS

Unterbrechungsfreie Stromversorgung

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