Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 120 A TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 256-7444
- Herst. Teile-Nr.:
- SQM120N04-1M7L_GE3
- Hersteller:
- Vishay
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- Herst. Teile-Nr.:
- SQM120N04-1M7L_GE3
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- Vishay
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 120A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0149Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 120A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0149Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Kfz-N-Kanal 40 V (D-S) 175 °C Mosfet 120 A (Tc) 375 W (Tc) von Vishay Semiconductor hat eine SMD-Montage mit TO-263-Gehäusetyp.
TrenchFET Power Mosfet
Gehäuse mit niedrigem Wärmewiderstand
100 % Rg- und UIS-geprüft
AEC-Q101-qualifiziert
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