Vishay Si4948BEY N-Kanal, Oberfläche MOSFET -60 V / -2.4 A 1.4 W, 8-Pin SOIC
- RS Best.-Nr.:
- 256-7363
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4948BEY-T1-E3
- Hersteller:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 256-7363
- Herst. Teile-Nr.:
- SI4948BEY-T1-E3
- Hersteller:
- Vishay
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -2.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -60V | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Serie | Si4948BEY | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.15Ω | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 1.4W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -2.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -60V | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Serie Si4948BEY | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.15Ω | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 1.4W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der Serie Si4948BEY von Vishay, 60 V maximale Drain-Source-Spannung, 2,4 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – SI4948BEY-T1-E3
Merkmale und Vorteile:
• Sperrkapazität 60 V für Mittelspannungsschaltung
• Kontinuierlicher Ablassstrom von 2,4 A für dauerhafte Lasthandhabung
• Gate-Drive-Toleranz von 20 V ermöglicht flexible Steuerspannungen
• Typische Gate-Ladung von 14,5 nC für vorhersehbares Schaltverhalten
• Verlustleistung von 1,4 W zur Unterstützung moderater thermischer Lasten
Anwendungen
• Ideal für umgekehrte Polarität oder High-Side-Schalter-Implementierungen
• Einsatz mit kompakten DC/DC-Wandlern in Platinen mit begrenztem Platzangebot
• Kann für Batterieschutz und Energiemanagement-Schaltkreise verwendet werden
• Geeignet für die Signalpegel-Leistungssteuerung in industriellen Modulen
Welches Gehäuse und welche Anzahl von Pins sollte ich auf der Leiterplatte planen?
Wie funktioniert es bei extremen Temperaturen?
Welche Durchlassspannungscharakteristik ist für die Berechnung der Schaltkreismarge relevant?
Gibt es Material- oder Umweltstandards, die für die Beschaffung gelten?
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